Wie kürzlich angekündigt, garantiert die Samsung SSD PM9E1 Gen5 unglaubliche Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 14,5 GB/s beim sequenziellen Lesen und bis zu 13 GB/s beim sequenziellen Schreiben. Die Samsung SSD PM9E1 Gen5 wird unter Verwendung eines 5-nm-Controller-Nodes und der V-NAND-Technologie (V8) der achten Generation produziert, was es der SSD ermöglicht, hohe Speicherkapazitäten und Zuverlässigkeit zu erreichen. Darüber hinaus kann die SSD unglaublich hohe Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von 14,5 GB/s bzw. 13 GB/s erreichen.
Der Executive Vice President der Produkplanung für Speicherlösungen bei Samsung Electronics erklärte:
Unser PM9E1, ausgestattet mit einem 5-nm-Controller, bietet branchenführende Energieeffizienz und maximale Leistung, die von unseren wichtigsten Partnern bestätigt wurde… In der schnell wachsenden Ära der On-Device-KI wird der PM9E1 von Samsung eine solide Grundlage für globale Kunden bieten, um ihre KI-Portfolios effektiv zu planen. Ab sofort plant Samsung, das Angebot an fortschrittlichen SSDs für globale PC-Hersteller zu erweitern und in Zukunft Consumer-Produkte auf Basis von PCIe 5.0 herauszubringen, um die eigene Führungsposition im On-Device-KI-Markt zu festigen.
Dank der Gen5-Schnittstelle kann die SSD Samsung PM9E1 eine doppelt so hohe sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeit wie ihre Vorgänger erreichen und wird somit zu einer leistungsstarken Lösung für datenintensive KI-Anwendungen. Dadurch können bis zu 14 GB eines Large Language Model in weniger als einer Sekunde in den DRAM übertragen werden, während gleichzeitig die Akkulaufzeit von Geräten wie Laptops durch eine um 50 % höhere Energieeffizienz verbessert wird.
